收藏本站
NTD4815NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
10
125 ° C
100 ° C
25 ° C
1
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 13. Avalanche Characteristics
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R θ JC (t) = r(t) R θ JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) -- T C = P (pk) R θ JC (t)
0.01
1.0E--05
1.0E--04
1.0E--03
1.0E--02
1.0E--01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME ( m s)
Figure 14. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Device
NTD4815NHT4G
NTD4815NH--1G
NTD4815NH--35G
Package
DPAK
(Pb--Free)
IPAK
(Pb--Free)
IPAK Trimmed Lead
(3.5 ? 0.15 mm)
(Pb--Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD4815NT4G MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK
NTD4854NT4G MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK
NTD4855NT4G MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
NTD4856NT4G MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK
NTD4857NT4G MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
NTD4860NT4G MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
NTD4863NA-35G MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
NTD4865NT4G MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD4815NT4G 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4854N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 128 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD4854N-1G 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4854N-35G 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4854NT4G 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4854NT4H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NTD4855N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 98 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD4855N-1G 功能描述:MOSFET NFET 25V 98A 0.0033R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube